超高集積回路プロセス設計特論

　半導体集積回路の高集積化に伴い、素子寸法・配線寸法も縮小されてきた。これら超高集積回路（ＵＬＳＩ）実現のための製造プロセスも高度化・高精度化が進み、種々の科学技術を取り込みながら発展し続けている。本特論では、ＵＬＳＩ製造プロセスの基礎と最新技術，設計手法などについて論じる。内容は、
１．薄膜形成技術
２．リソグラフィー技術
３．エッチング技術
４．表面／界面制御技術
５．分析評価技術
６．プロセスインテグレーション技術
７．環境関連技術
などである。

評価方法と基準

レポート（授業最終週に提出）：50点，プレゼンテーション（5回）：各10点、合計50点とし、総合得点60点以上を合格とする。