電子デバイス工学特論

今日電子回路を構成する電子デバイスは個別デバイスもさる事ながら半導体を用いた集積回路（ＩＣ），大規模集積回路（ＬＳＩ）が主要なものとなっている。従って本講義ではこれを理解し設計，使用する基礎とし以下の項目を勉強する。講義は教科書の輪講形式による。
　1.半導体工業の歴史とＩＣの出現
　2.半導体ＩＣの基本要素
　3.半導体ＩＣの製造技術
　4.半導体ＩＣの構成素子
　5.半導体ＩＣのパターン設計

1．	半導体工業の歴史とＩＣ
2．	ＩＣの種類
3．	モノリシックＩＣの構造概要、製造方法の概要
4．	ｐｎ接合の特性（空乏層の広がりと接合容量、整流特性と耐圧特性）、バイポーラトランジスタ
5．	ＭＯＳ構造の特性（電圧印加時の表面電位のふるまい、Ｃ−Ｖ特性とチャネルの形成）、ＭＯＳトランジスタ
6．	半導体モノリシックＩＣの製造技術1) シリコン単結晶、酸化と酸化膜の性質
7．	半導体モノリシックＩＣの製造技術2) 熱拡散とイオン打ち込み
8．	半導体モノリシックＩＣの製造技術3) エピタキシャル成長、ＣＶＤ技術、蒸着
9．	半導体モノリシックＩＣの構成素子1) アイソレーション構造、モノリシック抵抗
10．	半導体モノリシックＩＣの構成素子2) モノリシックコンデンサ、配線及び交差点
11．	半導体モノリシックＩＣの構成素子3) ＭＯＳトランジスタ
12．	半導体モノリシックＩＣの構成素子4) バイポーラトランジスタ、ダイオード
13．	半導体モノリシックＩＣのパターン設計

開講部	大学院理工学研究科　修士課程
開講学科	電気電子情報工学専攻
開講学年	1年次
開講時期	後期
単位数	2
単位区分	特修
系列区分	特論
講義区分	講義

1M820000

科目英語名称

授業内容

授業計画

評価方法と基準

教科書・参考書

環境との関連