半導体デバイス特論 |
Advanced Courses on Semiconductor Devices |
開講部 | 大学院工学研究科 修士課程 |
開講学科 | 材料工学専攻 |
開講学年 | 1年次 |
開講時期 | 前期 |
単位数 | 2 |
単位区分 | 選択 |
系列区分 | 特論 |
講義区分 | 講義 |
| 准教授 | 弓野健太郎 |
| 1． | イントロダクション |
| 2． | 半導体の電子構造（１） |
| 3． | 半導体の電子構造（２） |
| 4． | キャリア密度 |
| 5． | キャリアの輸送現象（１） |
| 6． | キャリアの輸送現象（２） |
| 7． | p-n接合（１） |
| 8． | p-n接合（２） |
| 9． | バイポーラトランジスタ（１） |
| 10． | バイポーラトランジスタ（２） |
| 11． | ＭＯＳ構造の物理（１） |
| 12． | ＭＯＳ構造の物理（２） |
| 13． | ショットキーバリア |
| 14． | 電界効果トランジスタ（１） |
| 15． | 電界効果トランジスタ（２） |