結晶工学

　高度な電子情報システムを実現するためには，半導体デバイスのような結晶を利用した素子が必要となります．そこで，結晶構造と対称性，結晶の性質など，結晶学の基礎に触れるとともに，結晶成長技術の実際とその応用について述べていきます．
　具体的には，単結晶薄膜の形成に広く用いられる，物理的手法，化学的手法，電気化学的手法などについて，最新技術などのトピックスを交えながら，その概念と実際について解説していきます．

達成目標

授業計画

1.	結晶学の基礎（１）　結晶の対称性，結晶構造，結晶の性質
2.	結晶学の基礎（２）　結晶の対称性と物理量
3.	結晶学の基礎（３）　各種回折技術の原理と応用
4.	結晶成長学の基礎事項（１）　結晶成長理論の歴史的展望
5.	結晶成長学の基礎事項（２）　結晶成長のための統計熱力学
6.	結晶成長学の基礎事項（３）　ゆらぎと結晶核の生成，表面構造とラフニング転移
7.	結晶成長学の基礎事項（４）　成長の駆動力と結晶の形，結晶成長機構・モデル
8.	中間試験（項目１〜項目７，ウエイト；１〜３：４０％，４〜７：６０％）
9.	薄膜形成の基礎　真空の必要性，真空ポンプ，真空計
10.	薄膜形成技術（１）　物理的成膜法
11.	薄膜形成技術（２）　化学的成膜法
12.	薄膜形成技術（３）　電気化学的成長法
13.	薄膜材料のキャラクタリゼーション　バルクと薄膜の違い，各種測定法とその選択
14.	最近の話題と展望
15.	期末試験（項目９〜項目１４，ウエイト；９：１０％，１０〜１２：７０％，１３：１０％，１４：１０％）

評価方法と基準

教科書・参考書

【教科書】
配布プリントによる

【参考書】
結晶成長のダイナミクス２　結晶成長のしくみを探るーその物理的基礎ー（共立出版，上羽牧夫　編）
結晶成長（裳華房，齋藤幸夫　著）
結晶成長（内田老鶴圃，後藤芳彦　著）

開講部	工学部
開講学科	電子工学科
開講学年	3年次
開講時期	前期
単位数	2
単位区分	選択必修
系列区分	専門
講義区分	講義

G0914000

授業の概要

達成目標

授業計画

評価方法と基準

教科書・参考書

履修前の準備

オフィスアワー

環境との関連

1.	結晶の性質，および結晶成長の基礎について説明できる．（授業計画１〜７）
2.	薄膜形成法，および薄膜に特有な性質について説明できる．（授業計画９〜１４）