| 教授 | 上野和良 |  |
ナノデバイス工学 |
Nanodevices Engineering |
開講部 | 工学部 |
開講学科 | 電子工学科 |
開講学年 | 3年次 |
開講時期 | 後期 |
単位数 | 2 |
単位区分 | 選択必修 |
系列区分 | 専門 |
講義区分 | 講義 |
| 教授 | 上野和良 | |
| 1. | 半導体デバイスの基礎となる半導体のエネルギーバンド、半導体中の電流が理解できる。 |
| 2. | pn接合を用いたダイオード、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、IGBTなどのデバイスの動作原理、特性が理解できる。 |
| 3. | MIS構造、MOS構造ダイオードの動作を理解し、それを用いたMOSFETの動作原理、特性が理解できる。またMOSFETのスケーリングを理解し、スケーリングに伴う諸現象の原因が理解できる。 |
| 4. | ショットキー接合を理解し、MESFET、HEMTなどの化合物半導体を用いた高速トランジスタの動作原理や特性を理解できる。またヘテロ接合バイポーラトランジスタの動作原理や特性を理解できる。さらに、量子効果を応用したデバイスの構造や動作原理を理解できる。 |
| 5. | MOSFETなどを用いた集積回路の構造、デバイス、プロセスが理解できる。 |
| 1. | トランジスタ開発の歴史と半導体の基礎（１）： エネルギーバンド、フェルミ準位 |
| 2. | 半導体の基礎（２）：半導体中の電流 |
| 3. | ｐｎ接合： エネルギーバンド、電流−電圧特性、トンネルダイオード |
| 4. | バイポーラトランジスタ： 構造と動作原理、電流増幅率、アーリー効果、遮断周波数 |
| 5. | ｐｎ接合を用いた複合素子： pinダイオード、サイリスタ、IGBT |
| 6. | 絶縁体−半導体界面： MIS構造、MISの基本特性、実際のMIS構造 |
| 7. | MOS形電界効果トランジスタ（MOSFET）：構造と動作原理、電流−電圧特性、MOSFETの種類 |
| 8. | MOSFETの諸現象と複合素子： スケーリング、短チャネル効果、CCD素子 |
| 9. | ショットキー接合とヘテロ接合： ショットキー接合のバンド構造と電流−電圧特性、ヘテロ接合のバンド構造 |
| 10. | ショットキーゲート電界効果トランジスタ（MESFET）と光電子移動度トランジスタ（HEMT）： MESFETの構造と動作原理、HEMTの構造と動作原理 |
| 11. | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）： HBTの構造と動作原理、電流利得遮断周波数、最大発振周波数、電流増幅率 |
| 12. | 量子効果デバイス： 微細MOSFETにおける量子効果、フラッシュメモリ、共鳴トンネルデバイス |
| 13. | デバイスの集積（１）： MOS集積回路、CMOSインバータ、フリップフロップ、DRAM、SRAM |
| 14. | デバイスの集積（２）： MOS集積回路の製造プロセス |
| 15. | 期末試験 [試験範囲]1-12章全範囲 ・試験終了後、模範解答を用いて解説 |
| ・ | 講義終了後３０分、研究室（９Ｋ２５）にて |
| ・ | 999 水〜金：18:00〜、研究室（９Ｋ２５）にて |
| ・ | 999 |
| ・ | 999 |
| ・ | 999 |