G0914500

集積化プロセス設計

Integration Process Design

開講部

工学部

開講学科

電子工学科

開講学年

3年次

開講時期

前期

単位数

2

単位区分

選択必修

系列区分

専門

講義区分

講義
教授本間哲哉この先生のアンケート一覧を参照

授業の概要

　本科目の導入として、ULSIやFPDの現状，製品製造プロセスの概要などを講義し、その後、結晶技術，薄膜形成技術，不純物添加技術，リソグラフィー（露光技術，エッチング技術）などの主要プロセスについて講義を行う。また、最も重要となる個別プロセス同士の整合，インテグレーションのための設計手法について講義する。最終的に、プロセス技術・設計のための必要十分な基礎知識と応用力を養成する。この分野に関連する材料技術，装置技術，環境技術などの周辺技術も日進月歩であり、これらの最新技術動向も交えて講義を行う。

達成目標

1.ULSIやFPDなどの製造プロセスの基礎を修得する。
2.プロセスインテグレーションのためのプロセス設計の手法を修得する。

授業計画

1.超高集積回路（ULSI），フラットパネルディスプレイ（FPD）の現状
　本講義の必要性，ULSI，FPDの現状について概説する。
2.ULSI，FPD製造プロセスの概要
　ULSI，FPDの製造プロセスについて比較しながら概説する。
3.結晶成長技術
　ULSIなど電子デバイス形成のための結晶成長技術について学習する。
4.薄膜形成技術
　ULSI，FPDにおける金属・半導体・絶縁体などの薄膜形成技術の基礎について学習する。また，原材料（溶液・ガス）などの安全性，環境への影響についても学習する。
5.界面・表面制御技術
　異種薄膜界面，結晶−薄膜界面の制御，表面改質などについて学習する。
6.不純物添加（ドーピング）技術
　p型，n型半導体形成，MOS-FET・TFT形成に必要な不純物ドーピング技術について学習する。
7.リソグラフィー技術１
　各種パターン露光技術，装置，フォトレジスト材料，およびこれらの周辺技術について学習する。
8.リソグラフィー技術２
　ウエットエッチング，ドライエッチング，およびこれらの装置について学習する。また，エッチング溶液・ガスなどの安全性，環境への影響についても学習する。
9.プロセスインテグレーション技術１
　各種薄膜の整合性，応力，吸湿性などの物性と製造プロセス・デバイス特性への影響について学習する。
10.プロセスインテグレーション技術２
　新規材料・プロセス導入におけるアセスメント，汚染評価などについて解説する。
11.各種シミュレーション技術
　デバイス・プロセス設計のためのシミュレーション技術について解説する。
12.分析・評価技術
　薄膜材料などの分析・評価技術，不良解析技術，不純物分析技術などについて学習する。
13.環境負荷低減への方策
　各種原材料（溶液・ガス）などの環境負荷，代替材料，省エネルギー化への対応について解説する。
14.将来動向
　本講義の最後として、ULSI，FPDの今後の動向について解説する。
15.期末試験

評価方法と基準

レポート（達成目標1）40%、期末試験（達成目標1及び2）60%とし、合計100点として、総合得点が60点以上を合格とする。なお、評価を受けるためには、授業日数の2/3以上の出席が必要である。

教科書・参考書

参考書：「はじめての半導体プロセス」，工業調査会，前田 著，「はじめての半導体製造材料」，工業調査会，遠藤・若宮・小林 共著，など

履修前の準備

電子材料，電子物性工学1・2，集積回路工学を履修していることが望ましい。

オフィスアワー

・授業終了後30分，研究室にて
・月・木・金曜日の14:30〜18:00，研究室にて

環境との関連

環境関連科目 (環境教育割合10%)
最終更新 : Thu Sep 20 07:52:58 JST 2012