G0914600

分析評価技術

Analysis and Evaluation Technology

開講部

工学部

開講学科

電子工学科

開講学年

3年次

開講時期

後期

単位数

2

単位区分

選択必修

系列区分

専門

講義区分

講義
准教授山口正樹この先生のアンケート一覧を参照

授業の概要

　分析評価技術は極めて広範囲にわたりますが，その理解には高度な専門知識を要することもあります．本科目では，結晶解析，元素分析，表面・界面分析などの技術を中心に講義を行っていきます．
　具体的には，X線回折法(XRD), 螢光X線法(XRF)などのX線応用分析技術，透過電子顕微法(TEM), 走査電子顕微法(SEM)などの電子線応用分析，オージェ電子分光法(AES), 二次イオン質量分析法(SIMS)などの元素分析，走査プローブ顕微法(SPM)に代表される極微構造解析などに加えて，電気的・光学的特性の測定などについて，最新技術動向を踏まえて，その概念と実際について解説していきます．

達成目標

1.評価のための基礎技術，および電気的，光学的評価技術を理解できる．（授業計画１〜６）
2.構造評価，機器分析，ナノプローブ技術について理解できる．（授業計画８〜１４）

授業計画

1.電子物性の基礎
　結晶構造，金属，半導体，絶縁体
2.評価のための基礎技術
　エッチング技術，劈開技術，電極形成，光源，分光，光検知器
3.電気的評価技術（１）
　四探針法，ホール効果，熱起電力，光起電力
4.電気的特性評価（２）
　半導体のキャリア寿命，容量電圧法，サイクリックボルタンメトリ
5.光学的特性評価（１）
　吸収スペクトル法，蛍光スペクトル法，スペクトルによる物質の同定
6.光学的特性評価（２）
　偏光解析法，ラマン分光法
7.中間試験（項目１〜項目６，ウエイト；１：１０％，２：１０％，３〜４：４０％，５〜６：４０％）
　教科書・参考書・自筆ノート参照可，電卓使用可
8.構造評価技術（１）
　光学顕微鏡，電子顕微鏡
9.構造評価技術（２）
　X線回折法，定性分析，定量分析，逆格子マッピング
10.機器分析技術（１）
　熱分析法，元素分析法
11.機器分析技術（２）
　電子線プローブによる分析法
12.機器分析技術（３）
　光子プローブによる分析法
13.機器分析技術（４）
　イオンビームプローブによる分析法
14.ナノプローブ技術
　走査プローブ顕微鏡，原子分子観察・計測・操作
15.期末試験（項目８〜項目１４，ウエイト；８〜９：４０％，１０〜１３：５０％，１４：１０％）
　教科書・参考書・自筆ノート参照可，電卓使用可

評価方法と基準

到達目標１は中間試験，到達目標２は期末試験により評価する．
科目の合否は，講義時の小テスト，中間試験，期末試験の合計得点率で評価し，合計得点率が６０％以上を合格とする．

教科書・参考書

【教科書】
配布プリントによる

【参考書】
機器分析のてびき（化学同人）

履修前の準備

特になし

オフィスアワー

・講義および実験の時間以外

環境との関連

環境に関連しない科目
最終更新 : Thu Mar 28 07:54:58 JST 2013