| 教授 | 堀尾和重 |  |
半導体工学 |
Semiconductor Electronics |
開講部 | システム理工学部 |
開講学科 | 電子情報システム学科 |
開講学年 | 2年次 |
開講時期 | 後期 |
単位数 | 2 |
単位区分 | 選択 |
系列区分 | 専門 |
講義区分 | 講義 |
教育目標 | G-1 |
| 教授 | 堀尾和重 | |
| 1. | 金属・半導体接合、ｐｎ接合、ヘテロ接合、ＭＯＳ構造をエネルギーバンド図を用いて理解する。 |
| 2. | 各種接合界面に空乏層ができることを理解し、その解析をポアソンの方程式を用いて行うことができる。 |
| 3. | pn接合の電流と電圧の関係式を理解する。 |
| 【授業計画】 | 【授業時間外課題（予習および復習を含む）】 | |
| 1. | 金属・半導体接合とエネルギーバンド図 | 半導体のエネルギーバンド図について復習する。 |
| 2. | ショットキー接合と整流性 | 金属・半導体接合のエネルギーバンド図について復習する。 |
| 3. | ショットキー障壁における空乏層の解析 | ポアソンの方程式について復習する。 |
| 4. | ショットキー障壁における電流輸送機構 | ショットキー障壁について復習する。 |
| 5. | ｐｎ接合における界面現象とエネルギーバンド図 | p形半導体，n形半導体とは何かについて復習する。 |
| 6. | ｐｎ接合における整流性の定性的説明 | pn接合のエネルギーバンド図について復習する。 |
| 7. | ｐｎ接合における空乏層の解析と空乏層容量 | ポアソンの方程式とその解法について調べる。 |
| 8. | ｐｎ接合の電流電圧特性の解析 | 拡散方程式について調べる。 |
| 9. | ｐｎ接合の破壊現象 | pn接合のエネルギーバンド図について復習する。 |
| 10. | ヘテロ接合とエネルギーバンド図 | 金属・半導体接合及びpn接合のエネルギーバンド図について復習する。 |
| 11. | MOS 構造における蓄積・空乏・反転状態とエネルギーバンド図 | キャリア濃度とフェルミ準位の関係について復習する。 |
| 12. | MOS 構造の容量と電圧特性（C-V特性） | 容量の直列接続について理解する。 |
| 13. | MOS 構造におけるチャネルの形成とMOSトランジスタ | MOS構造の蓄積，空乏，反転状態について復習する。 |
| 14. | ダイオードの理想特性からのずれ | キャリアの再結合率の式について復習する。 |
| 15. | ダイオードの交流特性とスイッチ特性 | 拡散方程式について復習する。 |
| ・ | 社会的・職業的自立力を育成しない科目 |