C0025000
3 Semiconductor Materials
In this lecture, emphasis is put on understanding the physics of semiconductors in terms of the behavior of electrons.
- 半導体物性の理解のための基礎となる固体物理の基礎知識の獲得。
- 金属、半導体、絶縁体の違いを電子構造の観点から理解する。
- 半導体物性に関する基礎的な知識の獲得。
Relationship between 'Goals and Objectives' and 'Course Outcomes'
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小テスト |
期末テスト |
Total. |
1. |
15% |
15% |
30% |
2. |
15% |
15% |
30% |
3. |
20% |
20% |
40% |
Total. |
50% |
50% |
- |
Evaluation method and criteria
小テスト、期末テストにより評価する。60点以上を合格とする。
|
Class schedule |
HW assignments (Including preparation and review of the class.) |
Amount of Time Required |
1. |
イントロダクション |
「固体物理」を復習しておくこと。 |
180minutes |
2. |
半導体の結晶構造 |
「結晶構造学」の復習をしておくこと。 |
180minutes |
3. |
結晶中における電子の振る舞い |
参考書の第2章を予習しておくこと。 |
180minutes |
4. |
エネルギーバンド |
参考書の第2章を予習しておくこと。 |
180minutes |
5. |
キャリアの生成と再結合 |
参考書の第3章を予習しておくこと。 |
180minutes |
6. |
キャリア密度 |
参考書の第3章を予習しておくこと。 |
180minutes |
7. |
ドナーとアクセプタ |
参考書の第3章を予習しておくこと。 |
180minutes |
8. |
ドリフト電流 |
参考書の第4章を予習しておくこと。 |
180minutes |
9. |
拡散電流 |
参考書の第4章を予習しておくこと。 |
180minutes |
10. |
pn接合 |
参考書の第5章を予習しておくこと。 |
180minutes |
11. |
金属と半導体の接合 |
参考書の第6章を予習しておくこと。 |
180minutes |
12. |
バイポーラトランジスタ |
参考書の第7章を予習しておくこと。 |
180minutes |
13. |
電界効果トランジスタ |
参考書の第8章を予習しておくこと。 |
180minutes |
14. |
期末試験および解説 |
講義の内容を総復習しておくこと。 |
360minutes |
Total. |
- |
- |
2700minutes |
Feedback on exams, assignments, etc.
ways of feedback |
specific contents about "Other" |
Textbooks and reference materials
(参考書)
半導体デバイス入門(柴田直、数理工学社)
電磁気学と量子力学の基礎的な事項を理解していることが望ましい。
Office hours and How to contact professors for questions
- 金曜日のお昼休み(訪問を事前に連絡することが望ましい)
Non-regionally-oriented course
Development of social and professional independence
- Course that cultivates an ability for utilizing knowledge
About half of the classes are interactive
Course by professor with work experience
Work experience |
Work experience and relevance to the course content if applicable |
N/A |
該当しない |
Education related SDGs:the Sustainable Development Goals
- 4.QUALITY EDUCATION
- 9.INDUSTRY, INNOVATION AND INFRASTRUCTURE
Last modified : Sat Mar 08 04:25:30 JST 2025